flash存储空间大小

一、存储容量概览

嵌入式微控制器内置的Flash存储器，其容量及分布如下：

1. STM32F103C8T6：拥有64KB的Flash，地址范围位于0x08000000至0x08010000之间^[2]^。

2. STM32F103ZET6：提供更为丰富的512KB Flash存储，被分为256页，每页大小为2KB^[4]^。

3. GD32系列的部分型号更是达到了惊人的3MB，存储空间被分为多个bank以便高效管理^[7]^。

而对于外置的独立Flash芯片，其容量则更为可观：

1. W25Q16：拥有2MB的存储空间，其结构清晰，便于访问（256块×16扇区×16页×256字节）^[3]^。

2. 通用NAND Flash：通常超过512MB，对于需要大规模数据存储的应用场景，这类Flash的普及率极高，部分产品还支持更高密度的存储^[1]^。

3. ESP32的外置扩展选项常见的是16MB、32MB、甚至64MB等^[5]^。

对比内置与外置存储，我们可以发现，虽然微控制器内置的Flash通常在KB到MB级别（如4MB到8MB），但其外置的Flash芯片却可以实现GB级的存储，对于那些需要大规模数据存储的应用来说，无疑是更好的选择^[5]^。

二、存储结构特性

无论是内置还是外置的Flash存储器，都有其独特的存储结构和擦写机制：

1. 它们通常采用分层组织结构，基本单位有页（Page）、扇区（Sector）和块（Block）。例如，W25Q16就有明确的24位地址映射到这些层级^[3]^。

2. 擦写机制方面，这类存储器必须在按页或块擦除后才能进行写入。例如，STM32系列的Flash就需要先擦除1KB或2KB的页再进行写入^[2][4]^。NAND Flash则是以块为单位进行擦除，写入则是以页为单位^[1]^。

三、地址空间计算要点

地址线位宽的确定与存储器的容量密切相关。例如，一个64Mbit（即8MB）的Flash就需要23位的地址线来映射其存储结构^[6]^。在实际应用中，如STM32的程序默认从0x08000000开始运行，剩下的地址空间可用于数据存储^[4][8]^。

四、典型应用场景指南

不同的存储需求对应着不同的应用场景和解决方案：

1. 对于微控制器的程序存储，通常需要的容量在64KB到512KB之间，这时，STM32内置的Flash就足够应对^[2][4]^。

2. 对于需要外置数据存储的场景，W25Q16或外置的NAND Flash是理想的解决方案，容量可达2MB到64MB^[3][5]^。

3. 对于那些需要大容量存储系统的应用，如512MB以上，高密度的NAND Flash阵列是首选^[1]^。

随着技术的进步，嵌入式系统的存储需求日益增长，了解不同类型的Flash存储器及其特性，对于开发者来说至关重要。从微控制器的内置Flash到外置的独立Flash芯片，我们可以根据实际需求选择最合适的存储方案。